|
Анодно-сеточные характеристики тетродов и пентодов напоминают характеристики триодов, но имеют ряд особенностей. Они
не используются для расчетов и поэтому здесь не рассматриваются.
Для практических расчетов пользуются характеристиками токов анода, экранирующей сетки и катода при постоянных напряжениях
всех сеток (рис. 19.6, а). Катодный ток мало изменяется при изменении анодного напряжения, а характеристики токов анода и
экранирующей сетки имеют две области. В области I (режим возврата) резко возрастает анодный ток и резко спадает
ток экранирующей сетки при небольших изменениях анодного напряжения. Это объясняется тем, что при малом анодном напряжении
около защитной сетки создается второй потенциальный барьер. При иа = 0 почти все электроны не могут
преодолеть этот барьер и возвращаются на экранирующую сетку. Ее ток максимален, а на анод попадают лишь электроны со значительными начальными скоростями. Они
образуют начальный анодный ток I0.
Рис. 19.6. Характеристики пентода для токов анода, экранирующей сетки и катода (а) и семейство анодных
характеристик (б)
Анод сильно действует на второй потенциальный барьер, и даже незначительное увеличение анодного напряжения приводит
к росту анодного тока и уменьшению тока экранирующей сетки. По мере увеличения анодного напряжения второй потенциальный
барьер понижается и, когда все электроны, пролетевшие сквозь экранирующую сетку, его преодолевают, наступает режим перехвата.
При дальнейшем повышении анодного напряжения рост анодного тока происходит главным образом за счет токораспределения.
Анод действует на потенциальный барьер около катода через три сетки, и его влияние ослаблено во много раз. Значительные
изменения анодного напряжения вызывают очень малые изменения токов (область II). Кривые становятся пологими.
Эти участки характеристик обычно используются как рабочие. Высокие значения коэффициента усиления и внутреннего сопротивления
получаются именно при работе в области II. Не следует эту область считать режимом насыщения.
Семейство анодных характеристик пентода при иg2 = const и иg3
= const дано на рис. 19.6, б. Чем больше отрицательное напряжение управляющей сетки, тем меньше анодный ток и тем ниже
проходят характеристики. При этом они идут более полого и ближе друг к другу. Если увеличить напряжение экранирующей сетки,
то характеристики расположатся выше и граница между областями I и II (рис. 19.6, а) сдвинется
вправо.
|
