Ниже приведен перечень наиболее важных параметров транзистора, которые необходимо учитывать при его выборе. Vкэ(макс): максимальное
допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. (Имеются разнообразные способы определения этого предела, но пока вы
не знаете точных режимов схемы, разумно не превышать 2/3 рекомендуемого Vкэ.) Iк(макс): максимально допустимый ток коллектора.
P(макс): максимальное значение допустимой мощности рассеяния прибора (P = Iк * Vкэ). fT граничная частота, при которой коэффициент
усиления по переменному току равен единице. На этой и более высоких частотах, транзистор теряет свои усилительные свойства.
hfe(мин) минимальный коэффициент усиления по постоянному току в схеме включения транзистора с общим эмиттером. Опытным путем
установлено, что необходимый hfe транзистора обычно требуется равным удвоенному минимальному току лампы, в цепи которой будет
установлен транзистор. l/hoe(тип): это типовое значения выходного сопротивление транзистора по переменному току (эквивалент
Ra в схеме с общим эмиттером (то есть выходное коллекторное сопротивление). Оно редко указывается изготовителями, потому
на практике его часто приходится измерять
характериографо-
м. Как правило p-n-р транзисторы имеют напряжение Эрла
ниже, чем n-p-n транзисторы, по этой причине их l/hoe ниже и быстрее понижается при увеличении тока. Любой биполярный транзистор
должен иметь минимальное напряжение между коллектором и эмиттером VKЭ, чтобы работать в линейной области. Для транзисторов
низкого напряжения при токах < 30 мА, напряжение ≈ 1 В является достаточным, но при более высоких токах может потребоваться
и около 2 В (рис. 3.47). Рис. 3.47 Iк в зависимости от Vкэ для транзистора 2N3904, показывает минимальное требуемое напряжение
Vкэ Высоковольтным транзисторам, таким как МРSА42 или MJE340 может потребоваться VKЭ > 2 В. Приемник неизменяющегося тока
в
дифференциально-
й паре, работающей в качестве
фазорасщепителя-
, просаживает на себе половину входного
сигнала, поэтому этот пункт может оказаться существенным. В каскодной схеме приемника неизменяющегося тока на нижний транзистор
не поступают сигналы переменного тока, поэтому он может быть выбран исходя из падения напряжения около 2 В постоянного тока.
На верхнем транзисторе при этом будет падать более высокое напряжение. Приемник неизменяющегося тока на интегральной схеме.
Кроме приемников неизменяющегося тока на лампах или транзисторах, есть и другая возможность — применение для прием Ниже
приведен перечень наиболее важных параметров транзистора, которые необходимо учитывать при его выборе. Vкэ(макс): максимальное
допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. (Имеются разнообразные способы определения этого предела, но пока вы
не знаете точных режимов схемы, разумно не превышать 2/3 рекомендуемого Vкэ.) Iк(макс): м