Так как приходится иметь дело с относительно высокими напряжениями, то можно пренебречь падением напряжения между базой и
эмиттером Vhe открытых транзисторов и считать, что выходные напряжения совпадают с напряжениями в точках отводов делителя
напряжения. Если пренебречь величиной базового тока и приблизительно считать, что ток протекающий по цепи делителя напряжения
будет равен 1 мА, то на каждые 1 кОм сопротивления резисторов будет приходиться падение напряжения, равное 1 В. Таким образом,
если необходимо значение напряжения 40 В на нижнем выходе схемы, то для величины нижнего резистора окажется вполне достаточным
величина сопротивления 39 кОм. Если напряжение на верхнем выходе схемы должно составлять 170 В, то падение напряжения на
среднем резисторе составит: (170 В — 40 В) = 130 В и величина сопротивления 130 кОм окажется вполне достаточным. Если высоковольтное
напряжение составляет, например, 390 В, то на верхнем резисторе падение напряжения должно составлять: (390 В — 170 В) = 220
В, что потребует использования резистора с сопротивлением 220 кОм. Несмотря на то, что схема фактически только задает требуемый
положительный потенциал на внешней цепи и эта внешняя цепь совершенно не потребляет из нее ток, в каждом транзисторе должен
протекать незначительный по величине коллекторный ток. Однако величина этого тока будет очень мала, поэтому значения, находящиеся
между 1 — 2 мА окажутся вполне приемлемыми. Если установить значение коллекторного тока 1с = 2 мА, то величина сопротивления
эмиттерного резистора нижнего транзистора должна будет равняться частному отделения напряжения 40 В на ток 2 мA, то есть
20 кОм. Можно было бы соединить коллектор этого транзистора непосредственно с эмиттером верхнего транзистора, однако, введение
резистора коллекторной нагрузки улучшит подавление шума в цепи и уменьшит выделяемую в транзисторе мощность. Величина сопротивления
не грает совершенно никакой роли, но если для нижнего транзистора задать значение напряжения между коллектором и эмиттером
Vce, равным 15 В, то напряжение на его коллекторе составит (40 В + 15 В) = 55 В. Напряжение на эмиттере верхнего транзистора
составляет 170 В, поэтому напряжение на резисторе коллекторной нагрузки должно составлять: (170 В — 55В)= 115 В.