В качестве традиционного на практике часто используется следующий пример: в фильтре устанавливается дроссель, имеющий индуктивность
15 Гн и внутреннее сопротивление обмотки 220 Ом, подключенный к бумажному с масляной пропиткой конденсатору с емкостью 8
мкФ. Для этого фильтра частота НЧ резонанса fres(LF) = 14,5 Гц, а значение добротности Q = 5,27. Полученное значение Q является
слишком большим, значение fres(LF) находится слишком близко к границе звукового диапазона, однако использование дополнительного
последовательно включенного резистора с сопротивлением 2,48 кОм, необходимого по условию достижения критического демпфирования,
привело бы к ненужным потерям высокого напряжения и значительно увеличило бы выходное сопротивление источника питания. Гораздо
лучшим выходом было бы заменить конденсатор 8 мкФ на
полипропиленовы-
й конденсатор с емкостью 120 мкФ, так как это
обеспечило бы значения частоты fres(LF) = 3,75 Гц, Q = 1,36, которое оказалось бы гораздо более подходящим. Использование
дополнительного последовательно включенного резистора с сопротивлением 447 Ом позволило бы снизить значение добротности до
величины Q = 0,5. Область 2 Реактивное сопротивление дросселя удваивается при каждом увеличении частоты на одну октаву, тогда
как реактивное сопротивление конденсатора уменьшается вдвое, что дает знакомый угол наклона АЧХ, равный 12 дБ/октаву. Область
3 Здесь начинает оказывать влияние шунтирующая паразитная емкость дросселя. На той частоте, когда реактивное сопротивление
шунтирующей емкости становится равным индуктивному сопротивлению дросселя, в контуре наступает резонанс. Поэтому эта частота
может быть определена, как начало области
высокочастотног-
о резонанса fres(LF). На частотах, превышающих эту частоту
собственного резонанса (для обычных высоковольтных дросселей она колеблется от 3 до 15 кГц), параллельная емкость совместно
со сглаживающим конденсатором образуют делитель напряжения, потери в котором остаются постоянными с изменением частоты: Область
4
Последовательно-
е индуктивное сопротивление накопительного конденсатора стано