Электростатичес-
кая эмиссия значительно усиливается при шероховатой поверхности, что объясняется концентрацией поля
у
микроскопически-
х выступов этой поверхности. При наличии активирующих, особенно оксидных, покрытий
электростатичес-
кая эмиссия также усиливается. Помимо уменьшения работы выхода, свойственного оксидному слою, здесь играет роль проникновение
внешнего поля в
полупроводников-
ый оксидный слой и шероховатость поверхности оксида. Вторичная электронная эмиссия
обусловлена ударами электронов о поверхность тела. При этом ударяющие электроны называются первичными. Они проникают в поверхностный
слой и отдают свою энергию электронам данного вещества. Некоторые из последних, получив значительную энергию, могут выйти
из тела. Такие электроны называются вторичными. Вторичная эмиссия обычно возникает при энергии первичных электронов 10—15
эВ и выше. Если энергия первичного электрона достаточно велика, то он может выбить несколько вторичных электронов. Вторичная
эмиссия характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии а, который равен отношению числа вторичных электронов п2 к числу
первичных n1: σ = n2/n1. (15.5) Коэффициент σ зависит от вещества тела, структуры его поверхности, энергии первичных
электронов, угла их падения и некоторых других факторов. Для чистых металлов максимальное значение а бывает в пределах 0,5—1,8.
При наличии активирующих покрытий а достигает 10 и более. Для интенсивной вторичной эмиссии применяют сплавы магния с серебром,
алюминия с медью, бериллия с медью и др. У них коэффициент σ может быть в пределах 2—12 и больше, причем эмиссия более
устойчива, нежели у других веществ. Вторичная эмиссия наблюдается также у полупроводников и диэлектриков. На рис. 15.5 дана
зависимость коэффициента σ от энергии первичных электронов W1 При W1 < 10 - 15 эВ вторичной эмиссии нет. Затем она
с ростом W1 усиливается, доходя до максимума, после чего ослабевает. Кривая 1 — зависимость для чистого металла, а кривая
2 — для металла с активирующим покрытием. Максимум вторичной эмиссии достигается обычно при энергии W1 в сотни электрон-вольт.
Снижение σ при более высоких значениях W1 объясняется тем, что первичные электроны проникают более глубоко и передают
энергию электронам, находящимся дальше от поверхности. Последние передают полученную энергию другим электронам и не могут
дойти до поверхнос