Это объясняется тем, что с ростом тока сетки в промежутке сетка — катод увеличивается количество ионов и электронов и облегчается
возникновение разряда в анодной цепи. Рис. 21.11. Устройство и пусковая характеристика тиратрона тлеющего разряда 1 — вторая
сетка; 2 — анод; 3 — катод; 4 — первая сетка Зависимость напряжения UВ от тока ig называется пусковой
характеристикой-
. При отсутствии тока сетки напряжение возникновения разряда максимально. Увеличение тока ig вызывает снижение напряжения
UВ, сначала резкое, а затем медленное. Однако значение UВ не может быть меньше рабочего напряжения Upaб, необходимого для
поддержания тлеющего разряда между анодом и катодом. Пусковая характеристика зависит от рода газа, его давления, формы и
состояния поверхности электродов. Потеря сеткой управляющего действия после возникновения разряда в анодной цепи объясняется
тем, что сетка окружена плазмой — с большим количеством электронов и ионов. Положительно заряженная сетка притягивает из
плазмы электроны, которые образуют около поверхности сетки отрицательно заряженный слой (электронную оболочку), нейтрализующий
действие положительного заряда сетки (рис. 21.12, а). Если увеличить, или уменьшить положительное напряжение сетки, то она
притянет к себе из плазмы больше или меньше электронов и по-прежнему действие ее заряда будет
нейтрализоватьс-
я
соответственно изменившимся зарядом электронной оболочки. А если дать на сетку отрицательное напряжение, то она притянет
из плазмы положительные ионы, которые создадут вокруг нее положительно заряженный слой (ионную оболочку), нейтрализующий
действие отрицательного заряда сетки (рис. 21.12, б). Электронная (или ионная) оболочка сетки находится в динамическом состоянии.
Так, например, ионы, коснувшись отрицательно заряженной сетки, отнимают от нее электроны и превращаются в нейтральные атомы,
но на смену им к сетке притягиваются из плазмы новые ионы. Если увеличить отрицательное напряжение сетки, то она притянет
больше ионов. Заряд ионной оболочки увеличивается и снова полностью компенсирует действие отрицательного заряда сетки. Иначе
можно сказать, что поле, создаваемое зарядом сетки, сосредоточено между сеткой и ее ионной (или электронной) оболочкой, как
между обкладками