21.12, а). Если увеличить, или уменьшить положительное напряжение сетки, то она притянет к себе из плазмы больше или меньше
электронов и по-прежнему действие ее заряда будет
нейтрализоватьс-
я соответственно изменившимся зарядом электронной
оболочки. А если дать на сетку отрицательное напряжение, то она притянет из плазмы положительные ионы, которые создадут вокруг
нее положительно заряженный слой (ионную оболочку), нейтрализующий действие отрицательного заряда сетки (рис. 21.12, б).
Электронная (или ионная) оболочка сетки находится в динамическом состоянии. Так, например, ионы, коснувшись отрицательно
заряженной сетки, отнимают от нее электроны и превращаются в нейтральные атомы, но на смену им к сетке притягиваются из плазмы
новые ионы. Если увеличить отрицательное напряжение сетки, то она притянет больше ионов. Заряд ионной оболочки увеличивается
и снова полностью компенсирует действие отрицательного заряда сетки. Иначе можно сказать, что поле, создаваемое зарядом сетки,
сосредоточено между сеткой и ее ионной (или электронной) оболочкой, как между обкладками конденсатора. Это поле не проникает
через оболочку, поэтому не может влиять на ток анода. Рис. 21.12. Электронная и ионная оболочка сетки Рис. 21.13. Включение
тиратрона тлеющего разряда в качестве реле Рис. 21.14. Схема и график работы генератора пилообразного напряжения с тиратроном
Схема включения тиратрона тлеющего разряда в качестве реле показана на рис. 21.13. Напряжение анодного источника Еa должно
быть меньше UВmax а напряжение Еg — меньше того, которое необходимо для возникновения разряда в промежутке сетка — катод.
Резистор Rg ограничивает сеточны