Рис. 17.5. Определение крутизны из характеристик Крутизна связана с наклоном анодно-сеточной характеристики. Чем круче эта
характеристика, тем больше значение S. Крутизна пропорциональна тангенсу угла наклона касательной к характеристике. Наиболее
просто крутизна определяется методом двух точек (рис. 17.5, а). Если участок между точками А и Б нелинейный, то определенная
этим методом крутизна SАБ является средней для данного участка и приближенно равна крутизне в средней точке Т. При определении
крутизны из анодных характеристик (рис. 17.5, б) также применяют метод двух точек. Следует взять на характеристиках для Ug1
и Ug2 точки А и Б, соответствующие одному и тому же анодному напряжению. Изменение Δia при переходе от точки А к точке
Б надо разделить на соответствующее изменение Δиg = Ugl — Ug2. Найденная таким путем крутизна SAБ является средней для
участка АБ, и ее можно отнести к точке Т. Внутреннее сопротивление Ri характеризует влияние анодного напряжения на анодный
ток и имеет тот же физический смысл, что и в диоде, т. е. является сопротивлением между анодом и катодом для переменного
(изменяющегося) анодного тока. Если при изменении анодного напряжения на Δиa анодный ток изменяется на Δia, то
Ri = Δиa / Δia при иg = const. (17.12) Например, при Δиa = 50 В и Δia = 2 мА получаем Ri = 50:2 = 25
кОм. Как видно, внутреннее сопротивление представляет собой отношение изменения анодного напряжения к вызванному им изменению
анодного тока при постоянном сеточном напряжении. Условие иg = const необходимо для того, чтобы внутреннее сопротивление
характеризовало действие только анодного напряжения. Чем больше Ri тем слабее влияние анода на анодный ток. Действительно,
при более высоком Ri для получения прежнего Δiа надо изменить в большей степени анодное напряжение. Величина 1/Ri аналогична
параметру y22э биполярного транзистора или параметру 1/Ri полевого транзистора. Для триодов значение Ri лежит в пределах
0,5 —100 кОм, а чаще всего — от нескольких килоом до 30 кОм. Из закона степени трех вторых можно получить формулу для Ri:
Ri = dg-к2/(
3,5·10-6QaDW-
30; (ug + Dua )) (17.13) Как видно, Ri уменьшается при уменьшении dg-к и увеличении
Qa. Если D возрастает (например, когда сетку делают более редкой), то Ri уменьшается, так как анод сильнее действует на потенциальный
барьер у катода, а значит, и на анодный ток. Расстояние da-к в явном виде не входит в формулу. Но при увеличении da-к влияние
анода уменьшается. От этого увеличивается Ri и уменьшается D. При уменьшении сеточного и анодного напряжения сопротивление
Ri возрастает. Это объясняется повышением потенциального барьера. Для определения Ri из анодно-сеточных характеристик необходимо
взять при постоянном сеточном напряжении приращение Δia между точками А и Б на характеристиках для Ua1 и Ua2 (рис. 17.6,
а). Разделив Δua = Ual - Ua2 на Δia, получим значение Ri соответствующее средней точ Рис. 17.5. Определение крутизны
из характе