22.2, а, показывают резко выраженный режим насыщения. У ионных фотоэлементов (рис. 22.2,б) такие характеристики сначала идут
почти так же, как у электронных фотоэлементов, но при дальнейшем увеличении анодного напряжения вследствие ионизации газа
ток значительно возрастает, что оценивается коэффициентом газового усиления, который может быть равным от 5 до 12. Энергетические
характеристики электронного и ионного фотоэлемента, дающие зависимость Iф = f(Ф) при Ua = const, показаны на рис. 22.3. Частотные
характеристики
чувствительност-
и дают зависимость
чувствительност-
и от частоты модуляции светового потока.
Из рис. 22.4 видно, что электронные фотоэлементы (линия 1) малоинерционны. Они могут работать на частотах в сотни мегагерц,
а ионные фотоэлементы (кривая 2) проявляют значительную инерционность, и
чувствительност-
ь их снижается уже на частотах
в единицы килогерц. Рис. 22.2. Анодные характеристики электронного (а) и ионного (б) фотоэлемента Рис. 22.3. Энергетические
характеристики электронного (1) и ионного (2) фотоэлемента Рис. 22.4. Частотные характеристики электронного (1) и ионного
(2) фотоэлемента Фотоэлемент обычно включен последовательно с нагрузочным резистором RH (рис. 22.5). Так как фототоки очень
малы, то сопротивление фотоэлемента постоянному току весьма велико и составляет единицы или даже десятки мегаом. Сопротивление
нагрузочного резистора желательно также большое. С него снимается напряжение, получаемое от светового сигнала. Это напряжение
подается на вход усилителя, входная емкость которого шунтирует резистор RH. Чем больше сопротивление RH и чем выше частота,
тем сильнее это шунтирующее действие и тем меньше напряжение сигнала на резисторе RH. Рис. 22.5. Схема включения фотоэлемента
Основные электрические параметры фотоэлем
