В выражении (19.3) слагаемое D1D2Ua можно не учитывать, так как D1D2 << 1: UД ≈Ug1+ D1Ug2. (19.7) Чтобы запереть
лампу, надо иметь UД = 0. Тогда iк = 0. Из равенства (19.7) найдем сеточное напряжение, запирающее лампу: Ug1зап ≈
- D1Ug2. (19.8) Так как управляющая сетка негустая, а напряжение Ug2 довольно. велико, то запирающее напряжение большое,
т. е. анодно-сеточные характеристики получаются «левыми». Если D1 = 0,10, D2 = 0,02 и Ua = 250 В, то при Ug2 = 100 В запирающее
напряжение Ug1зап ≈ — 0,1· 100 = —10 В, а с учетом влияния анода Ug1зап = -0,1 • 100-0,002 • 250 = —10 —0,5 = —10,5
В. Значительный участок анодно-сеточной характеристики от 0 до —10 В расположен в области отрицательных сеточных напряжений.
А для триода, имеющего D = 0,002 и Ua = 250 В, получим Ugзап = — 0,5 В, т. е. характеристика будет «правой». Рис. 19.1. Эквивалентная
схема, показываю-щая уменьшение проходной емкости с по-мощью экранирующей сетки Рассмотрим по упрощенной эквивалентной схеме
(рис. 19.1) уменьшение проходной емкости Сa-g1 за счет экранирующей сетки. Источники питания исключены, так как схема рассматривается
только для емкостного переменного тока. Без экранирующей сетки сеточная и анодная цепи были бы связаны через проходную емкость
Сa-g1. Если введена экранирующая сетка С2, соединенная с катодом, то для емкостного тока имеются два пути. Первый — от сетки
С2 через провод, соединяющий эту сетку с катодом, обратно в, источник колебаний. Второй — от сетки С2 через емкость между
этой сеткой и анодом, а затем через нагрузку RH обратно в источник. Второй путь имеет сопротивление во много раз больше,
чем первый. Поэтому почти весь емкостный ток ig пройдет по первому пути. Емкостная связь между сеточной и анодной цепями
почти полностью устранена. Если, например, сквозь экранирующую сетку проходит 2 % силовых линий, выходящих из анода, то взаимодействие
между зарядами анода и управляющей сетки ослабляется в 50 раз и во столько же раз уменьшается емкость Сa-g1. Чем гуще экранирующая
сетка, тем в большей степени уменьшается проходная емкость. Так как силовые линии электрического поля частично проникают
от анода к управляющей сетке не через экранирующую сетку, а обходным путем, то проходная емкость несколько увел
