1. Постоянная токовая нагрузка первого дифференциального каскада. Температурная стабилизация

Наиболее общей причиной дрейфа параметров для кремниевых транзисторов (входящих в состав применяемой сборки) является зависимость напряжения коллектор-эмиттер Vce от температуры, хотя эта зависимость может быть компенсирована добавлением кремниевого диода в цепь опорного напряжения. При этом основным допущением является, что температура диода точно соответствует температуре перехода полупроводникового прибора, который вносит ошибку, поэтому компенсирующий прибор должен быть закрепле...

2. Усилитель класса А для электромагнитных головных телефонов с непосредственной междукаскадной связью

Если рассматривать схему сдвига уровня как усилитель с общим эмиттером, можно найти его коэффициент усиления. Поскольку коллекторный ток Iк = 250 мкА, то крутизна gm = 35 Iк = 35 х 0,25 = 8,75 мА/В. Коэффициент усиления равен Av = gm * RH — 8,75 * 1000 = 8750. Тем не менее, усилитель имеет значительную обратную связь, так как нешунтированный резистор в цепи эмиттера имеет сопротивление 24 кОм. ...

3. Принцип устройства и работы электро-вакуумных приборов - Устройство и работа триода

Катод, сетка и анод электровакуумного триода аналогичны соответственно эмиттеру, базе и коллектору биполярного транзистора или истоку, затвору и стоку полевого транзистора. Все, что относится к сетке, обозначается символами с...

4. Двухтранзисторная схема последовательного стабилизатора

Данная схема стабилизации может обеспечить значение выходного тока всего в 50 мА, так как базовый ток для транзистора Q2 отбирается от коллекторного тока транзистора Q1. Если увеличить коллекторный ток транзистора Q1, то доля тока транзистора Q1 могла бы возрасти еще больше, что позволило бы увеличить выходной ток. Однако более разумным решением было бы заменить транзистор Q2 так называемой парой Дарлингтона (составным транзистором с объединенными коллекторами), для которой понадобился бы меньший ток базы. Другим вариантом могла бы явиться замена транзистора Q2 мощным МОП полевым транзистором, однако, в этом случае потребовалось бы использовать ограничительный резистор на затворе тр...

5. Использование транзисторов в качестве активной нагрузки для электронных ламп

l/hoe(тип): это типовое значения выходного сопротивление транзистора по переменному току (эквивалент Ra в схеме с общим эмиттером (то есть выходное коллекторное сопротивление). Оно редко указывается изготовителями, потому на практике его часто приходится измерять характериографом. Как правило p-n-р транзисторы имеют напряжение Эрла ниже, чем n-p-n транзисторы, по этой причине их l/hoe ниже и быстрее понижается при увеличении тока. Любой биполярный транзистор должен иметь минимальное напряжение между коллектором и эмиттером ...

6. Классическая схема последовательного стабилизатора

Для приведенной конкретной схемы эта величина составляет всего несколько вольт (минимальное остаточное падение напряжения между коллектором и эмиттером управляющего транзистора), однако, напряжения выпадания для ламповой реализации стабилизатора может сост...

7. Полупроводниковые приемники неизменяющегося тока для дифференциальной пары

Эквивалентное сопротивление по переменному току в коллекторной цепи будет равно: При используемом в этом примере транзисторе типа ВС549 (hfe ≈ 400, 1/hoe ≈ 12 кОм) расчет дает rвых ≈ 92 кОм. Заметим, что для подачи смещения на светодиод требуется дорогостоящий резистор с допустимой мощностью рассеяния 2 Вт. Рис. 3.43 Полупроводниковые приемники неизменяющегося тока Простая схема может быть легко улучшена, путем увеличения числа транзисторов. Поско...

8. Варианты применения стабилизатора высоковольтного напряжения

Этот результат представляется очень важным, так как он подтверждает, что выбор значений напряжения между коллектором и эмиттером VCE и коллекторного тока Ic позволяет использовать маломощный транзистор. При работе коллекторное напряжение рассогласующего транзистора VCE = 88 В, однако, в момент включения конденсатор с емкостью 22 мкФ, шунтирующий стабилитрон, фиксирует величину эмитерного напряжения рассогласующего транзистора на значении О В, следовательно, транзистор должен выдерживать коллекторное напряжение VCE = 330 В. Так как требования для рассогласующего транзистора опред...

9. Стабилизатор цепи сеточного смещения с регулируемым выходным напряжением

31 Стабилизатор с регулируемым выходным напряжением, предназначенный для питания цепей смещения ламп Стабилитроны, рассчитанные на более высокие рабочие напряжения, позволяют добиться в схеме лучшей стабилизации напряжения, однако по-прежнему остается в силе требование сохранять между коллектором и эмиттером управляющего транзистора приемлемые уровни напряжений. На практике, выбор стабилитрона, рассчитанного на напряжение, равное примерно половине максимального значения выходного напряжения, считается вполне разумным, к тому же, стабилитроны на рабочее напряжение 75 В имеют достаточное широкое распростране...

10. Усилитель Mullard 5-20

Хотя данная схема была рассчитана, чтобы обеспечить напряжение смещения — 11 В, последнее легко может быть изменено (в случае необходимости получения более отрицательного напряжения смещения) путем замены резистора коллекторной нагрузки транзистора цепи смещения; при этом других изменений в схеме не потребуется. ...

11. Особенности источников смещения подогревателей ламп, находящихся под повышенным потенциалом относительно корпуса

Можно было бы соединить коллектор этого транзистора непосредственно с эмиттером верхнего транзистора, однако, введение резистора коллекторной нагрузки улучшит подавление шума в цепи и уменьшит выделяемую в транзисторе мощность. Величина сопротивления не грает совершенно никакой роли, но если для...

12. Специальные электронные приборы для СВЧ - Лампы бегущей и обратной волны

Электронный луч, пройдя сквозь спираль, попадает на коллектор К´. Спираль электрически соединена с коллектором. В ЛБВ для частот до 4000 ...

13. Каскодная схема постоянной токовой нагрузки второго дифференциального усилителя и ее стабилизация

43) транзистора схемы задания неизменяющегося тока не должно вносить изменений, следовательно, значение напряжения коллектор-эмитер Vce = 2 В при значении тока 10 мА является вполне приемлемым для этого типа транзисторов. Так как коллектор нижнего транзистора подключен к эмиттеру верхнего транзистора, напряжение коллектор-эмитер Vce будет равно напряжению между двумя эмиттерами. Так как на открытых переходах база-эмитер каждог...